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这些薄膜主要是单层石墨烯，项目只有一小部分(少于5%)的面积只有几层，并且在铜表面台阶和晶界上是连续的。

作者还开发了石墨烯薄膜转移到任意基底的工艺，招标在硅/二氧化硅基底上制作的双栅场效应晶体管在室温下显示出高达4050 cm2 V-1 s-1的电子活动性。【成果简介】近日，个公开中国科学院化学研究所王铁研究员（通讯作者）等人，个公开采用了一种简单的方法，合成超薄CeO2纳米片（1.2nm），增加表面原子含量，可以从面心立方（fcc）相转变为体心四方（bct）相。

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（c，莞虎f，i）超薄纳米片、纳米片和纳米立方体的晶体模型。本文采用了一种简单的方法，门镇合成了超薄CeO2纳米片（1.4nm），通过增加表面原子含量，使面心立方（fcc）相转变为体心四方（bct）相。